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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs INTENSO 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
INTENSO 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
9.8
12.1
写入速度,GB/s
8.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2061
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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