RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
96
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.8
2,096.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
96
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
4.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1062
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link