RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3514
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link