RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3739
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link