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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
28
读取速度,GB/s
4,595.2
21.4
写入速度,GB/s
2,168.2
16.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3739
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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