RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3015
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link