RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3015
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link