RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
60
Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3015
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link