RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2675
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link