RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
60
Около -161% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2675
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link