RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3377
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link