Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

总分
star star star star star
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,168.2 left arrow 14.0
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 60
    左右 -131% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 5300
    左右 4.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    60 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    4,595.2 left arrow 16.2
  • 写入速度,GB/s
    2,168.2 left arrow 14.0
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    941 left arrow 3377
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较