RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link