RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link