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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
60
Por volta de -50% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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