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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

总分
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,168.2 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 60
    左右 -50% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 5300
    左右 4.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    4,595.2 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    2,168.2 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    941 left arrow 2709

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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内存RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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