RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2972
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link