RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3428
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link