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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3428
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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