RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
92
En -268% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2740
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link