RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
92
Rund um -268% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2740
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link