RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
92
Rund um -268% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2740
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-017.A00LF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link