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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
92
Autour de -268% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2740
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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