Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 13.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,784.6 11.5

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

42 65

Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 6400

Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

932 2525

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns