RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
42
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2525
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link