RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
65
Por volta de -55% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
42
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2525
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link