RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
61
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,021.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
61
Prędkość odczytu, GB/s
3,575.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,021.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
563
2134
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link