RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3731
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link