RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2190
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link