RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2931
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link