RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
77
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2296
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link