RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3137
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link