RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3379
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link