RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3371
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link