RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link