RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3094
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link