RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
77
Wokół strony -381% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
16
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3872
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link