RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3295
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link