RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3456
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link