RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3775
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link