RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2911
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link