RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2911
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link