RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3732
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link