RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3972
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link