RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3736
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link