RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
186
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3.9
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
186
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
3.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
536
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link