RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3734
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link