RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2117
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link