RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3559
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link