RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
77
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3244
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link