RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3673
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link