RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3673
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link