RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2659
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link