RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2291
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link