RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3062
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link